制造商:Advanced Linear Devices
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:PDIP-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:10 V
Id-连续漏极电流:79 mA
Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压:800 mV
Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V
最小工作温度:0 C
最大工作温度:+ 70 C
Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
配置:Dual
通道模式:Enhancement
商标名:EPAD
封装:Tube
系列:ALD212908A
晶体管类型:2 N-Channel
商标:Advanced Linear Devices
产品类型:MOSFET
工厂包装数量:50
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:10 ns
典型接通延迟时间:10 ns
单位重量:1 g