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ALD212900PAL /MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
ALD212900PAL的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Advanced Linear Devices

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:PDIP-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:10 V

Id-连续漏极电流:79 mA

Rds On-漏源导通电阻:14 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:20 mV

Vgs - 栅极-源极电压:10.6 V

最小工作温度:0 C

最大工作温度:+ 70 C

Pd-功率耗散:500 mW

配置:Dual

通道模式:Depletion

封装:Tube

系列:ALD212900P

晶体管类型:2 N-Channel

商标:Advanced Linear Devices

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:10 ns

典型接通延迟时间:10 ns

单位重量:1 g

供应商ALD212900PAL
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ALD212900PALDUAL HIGH DRIVE ZERO THRESHOLD MATCHED PAIR ALD[Advanced Linear Devices]ALD[Advanced Linear Devices]的LOGO110.65 Kbytes共12页ALD212900PAL的PDF下载地址
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ALD212900PALAdvanced Linear Devices Inc.1+:¥19.72
10+:¥17.79
25+:¥15.89
100+:¥14.3
250+:¥12.7099
500+:¥11.12
1000+:¥9.21
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ALD212900PALADVANCED LINEAR DEVICES INC.MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP250 : $1.74
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25 : $2.1752
10 : $2.436
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ALD212900PALAdvanced Linear DevicesMOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V1:¥40.341
10:¥36.1148
25:¥32.4988
50:¥31.6626
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ALD212900PALAdvanced Linear DevicesFET - 阵列 EPAD®, Zero Threshold? 分立半导体产品 半导体 MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V1+:¥19.72
10+:¥17.79
25+:¥15.89
100+:¥14.3
250+:¥12.7099
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2500+:¥8.571+:¥13.25
10+:¥12.42
50+:¥10.5201
100+:¥10.1
250+:¥9.44
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1000+:¥8.93
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5000+:¥8.28