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AFT20P140-4WNR3 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
AFT20P140-4WNR3的规格信息
AFT20P140-4WNR3的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:500 mA

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:17.8 dB

输出功率:24 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:OM-780-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:1880 MHz to 2025 MHz

系列:AFT20P140_4WN

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:250

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:0.6 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V

零件号别名:935323357528

单位重量:3.192 g

供应商AFT20P140-4WNR3
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