制造商:NXP
产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:是
晶体管极性:N-Channel
技术:Si
Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 65 V
增益:18.2 dB
输出功率:63 W
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:NI-880XS-2L4S
封装:Reel
配置:Dual
工作频率:1995 MHz
系列:AFT18S290_13S
类型:RF Power MOSFET
商标:NXP / Freescale
通道模式:Enhancement
Pd-功率耗散:263 W
产品类型:RF MOSFET Transistors
工厂包装数量:250
子类别:MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
零件号别名:935317893128
单位重量:9.734 g