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AFT05MS003NT1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFT05MS003N/SIL3///REEL 7 Q2 NDP
AFT05MS003NT1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:2.6 A

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 30 V

增益:20.8 dB

输出功率:3.2 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-89-3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:1.8 MHz to 941 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

通道数量:1 Channel

Pd-功率耗散:30.5 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V

零件号别名:935312585147

单位重量:50.800 mg

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