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A3T23H300W23SR6 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
A3T23H300W23SR6的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:3.2 A

Vds-漏源极击穿电压:- 5 V, 65 V

增益:15.6 dB

输出功率:63 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ACP-1230S-4L2S

封装:Cut Tape

封装:Reel

工作频率:2300 MHz to 2400 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP Semiconductors

通道数量:2 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:150

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V

零件号别名:935374249128

供应商A3T23H300W23SR6
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Digi-Key 得捷电子		A3T23H300W23SR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO$170.98813
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Mouser 贸泽电子		A3T23H300W23SR6NXP Semiconductors射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 63 W Avg., 30 V1:¥737.664
5:¥724.1379
10:¥691.56
25:¥668.508
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