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A3T21H400W23SR6 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
A3T21H400W23SR6的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:3.2 A

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 65 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ACP-1230S-4

封装:Reel

工作频率:2110 MHz to 2200 MHz

系列:A3T21H400W23

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP Semiconductors

通道数量:2 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:150

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:0.8 V, 1.4 V

零件号别名:935372908128

供应商A3T21H400W23SR6
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A3T21H400W23SR6N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET NXP[NXP Semiconductors]NXP[NXP Semiconductors]的LOGO323.34 Kbytes共8页A3T21H400W23SR6的PDF下载地址无
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Digi-Key 得捷电子		A3T21H400W23SR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO$156.65267
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Mouser 贸泽电子		A3T21H400W23SR6NXP Semiconductors射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V150:¥829.9511
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