7NM65G-TN3-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道
7NM65G-TN3-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7A(Tc)
栅源极阈值电压4.5V @ 250uA
漏源导通电阻900mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)60W(Tc)
类型N沟道
7NM65G-TN3-R
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7NM65G-TN3-R | N-CHANNEL SUPER-JUNCTION MOSFET | UTC[Unisonic Technologies] | ![UTC[Unisonic Technologies]的LOGO](/PdfSupLogo/171UTC.GIF) | 205.24 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 立创商城 | 7NM65G-TN3-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):60W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥2.31 10+:¥1.73 30+:¥1.62 100+:¥1.52
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