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7N60 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:840mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
7N60的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)650V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻840mΩ @ 8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)-

类型N沟道

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18923762408 “13538131418”
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深圳诚思涵科技有限公司7N60深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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深圳市宸远科技有限公司7N60深圳市福田区华强北街道中航北苑B座9B40755-23481624
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13510157626
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7N607 Amps,600Volts N-Channel MOSFET ESTEK[Estek Electronics Co. Ltd]ESTEK[Estek Electronics Co. Ltd]的LOGO470.34 Kbytes共5页7N60的PDF下载地址
7N607.4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO189.43 Kbytes共6页7N60的PDF下载地址
7N60isc N-Channel Mosfet Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO260.58 Kbytes共2页7N60的PDF下载地址
7N607.4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO193.88 Kbytes共6页7N60的PDF下载地址
7N60N-Channel Power MOSFET NELLSEMI[Nell Semiconductor Co., Ltd]NELLSEMI[Nell Semiconductor Co., Ltd]的LOGO678.82 Kbytes共8页7N60的PDF下载地址
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7N607A mps,600 Volts N-CHANNEL MOSFET CHONGQING[Chongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd]CHONGQING[Chongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd]的LOGO193.27 Kbytes共2页7N60的PDF下载地址
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7N607A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET WXDH[Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd]WXDH[Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd]的LOGO898.89 Kbytes共11页7N60的PDF下载地址
7N607A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET WXDH[Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd]WXDH[Jiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd]的LOGO898.89 Kbytes共11页7N60的PDF下载地址
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7N60A7A 600V N-channel enhanced field effect transistor YFWDIODE[DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]YFWDIODE[DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD]的LOGO1065.31 Kbytes共7页7N60A的PDF下载地址
7N60A7 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO297.02 Kbytes共7页7N60A的PDF下载地址3N60,30N06,SFF40N30B,NTB35N15,SFF40N30-3,SFF120-28Q,SFF1310M,SFF15N80-3,50N06,1N60
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7N60A4600V, SMPS Series N-Channel IGBT FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO204.5 Kbytes共8页7N60A4的PDF下载地址
7N60A4600V, SMPS Series N-Channel IGBT INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO168.06 Kbytes共11页7N60A4的PDF下载地址
7N60AG-TA3-T7A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO250.51 Kbytes共7页7N60AG-TA3-T的PDF下载地址
7N60AG-TF1-T7A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET UTC[Unisonic Technologies]UTC[Unisonic Technologies]的LOGO250.51 Kbytes共7页7N60AG-TF1-T的PDF下载地址
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7N60VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:840mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道1+:¥3.23
10+:¥2.38
30+:¥2.23
100+:¥2.07
500+:¥2
1000+:¥1.97
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立创商城
7N60GSPINGWEI(平伟)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:580mΩ @ 3.5A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):63W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.24
10+:¥2.34
30+:¥2.18
100+:¥2.01
500+:¥1.94
1000+:¥1.9
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7N60L-TF1-TUTC(友顺)连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.4A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1Ω @ 3.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):48W(Tc) 类型:N沟道1+:¥2.2015
10+:¥1.649
30+:¥1.547
100+:¥1.445
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7N60TFPINGWEI(平伟)MOS(场效应管)1+:¥2.18
10+:¥1.58
30+:¥1.47
100+:¥1.36
500+:¥1.31
1000+:¥1.29