5N65KL-MT
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道
5N65KL-MT的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻2.4Ω @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）36W(Tc)
类型N沟道
5N65KL-MT
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| 5N65KL-MT | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道 | UTC(友顺) |  | 242.73 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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立创商城 | 5N65KL-MT | UTC(友顺) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道 | 1+:￥1.6751
10+:￥1.2253
30+:￥1.1427
100+:￥1.0601
500+:￥1.0233
1000+:￥1.0052
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