5N20A-251
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：580mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W(Tc) 类型：N沟道
5N20A-251的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻580mΩ @ 2.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）78W(Tc)
类型N沟道
5N20A-251
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10+:￥0.9694
30+:￥0.9107
100+:￥0.8519
500+:￥0.8258
1000+:￥0.8129
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