5N04
/连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 5A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
5N04的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）5A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻42mΩ @ 5A,20V
最大功率耗散（Ta=25°C）-
类型N沟道
5N04
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| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| 5N04 | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 5A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道 | HL(豪林) |  | 1.54 Mbytes | 共4页 |  | 无 |
5N04的全球分销商及价格
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立创商城 | 5N04 | HL(豪林) | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 5A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道 | 10+:￥0.392714
100+:￥0.310247
300+:￥0.2951
1000+:￥0.279953
5000+:￥0.273221
10000+:￥0.269894
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