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3SK293(TE85L,F) /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V
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制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:30 mA

Vds-漏源极击穿电压:12.5 V

增益:22.5 dB

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-343-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Dual

工作频率:800 MHz

系列:3SK293

类型:RF Small Signal MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:100 mW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

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