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3SK292(TE85R,F) /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1
3SK292(TE85R,F)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:30 mA

Vds-漏源极击穿电压:12.5 V

增益:26 dB

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 125 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMQ-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:500 MHz

系列:3SK292

类型:RF Small Signal MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:150 mW

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

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3SK292(TE85R,F)Toshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品 半导体 射频MOSFET晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.11+:¥4.09
10+:¥3.46
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1000+:¥1.471+:¥3.25
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100+:¥1.5199
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10:¥3.1979
100:¥2.0114
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Mouser 贸泽电子
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500+:¥1.91
1000+:¥1.471+:¥3.25
10+:¥2.41
100+:¥1.5199
1000+:¥1.3301
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