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375-102N15A-00 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 15A 1000V N Channel MOSFET

375-102N15A-00的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:15 A

Vds-漏源极击穿电压:1000 V

Rds On-漏源导通电阻:1 Ohms

输出功率:940 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMD-6

封装:Tube

类型:RF Power MOSFET

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:11.3 S

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

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375-102N15A-00	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 15A 1000V N Channel MOSFET			189.54 Kbytes	共6页		无
375-102N15A-00	RF MOSFET N-CHANNEL DE375	IXYS-RF		189.54 Kbytes	共6页		无

375-102N15A-00的全球分销商及价格

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Mouser 贸泽电子	375-102N15A-00		射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375 15A 1000V N Channel MOSFET	价格未公开

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