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375-102N12A-00 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375-102N12A 12A 1000V N Channel MOSFET

375-102N12A-00的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:12 A

Vds-漏源极击穿电压:1000 V

Rds On-漏源导通电阻:1.05 Ohms

输出功率:940 W

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SMD-6

封装:Tube

工作频率:50 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:IXYS

正向跨导 - 最小值:6.7 S

通道数量:1 Channel

产品类型:RF MOSFET Transistors

Qg-栅极电荷:77 nC

工厂包装数量:25

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:4 V

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375-102N12A-00	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375-102N12A 12A 1000V N Channel MOSFET			146.91 Kbytes	共5页		无
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