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2V7002LT3G /MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O
2V7002LT3G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:75 mA

Rds On-漏源导通电阻:7.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 mW

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:2N7002L

晶体管类型:1 N-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:80 mS

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:10000

子类别:MOSFETs

单位重量:8 mg

供应商2V7002LT3G
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2V7002LT3GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 115MA 7.5O1:¥2.9154
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2V7002LT3GON(安森美)连续漏极电流(Id)(25°C 时):115mA(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:7.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):225mW 类型:N沟道1+:¥1.1221
10+:¥1.0946
30+:¥1.0762
100+:¥0.9946