系列汽车级，AEC-Q101

FET类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）115mA（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V

Vgs（最大值）±20V

功率耗散（最大值）225mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式PackageSOT-23

极性PolarityN-CH

漏源极击穿电压VDSS60V

连续漏极电流ID0.115A

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V

FET 类型N 沟道

漏源极电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）115mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs