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2SK536-TB-E /ON Semiconductor/分立半导体产品
2SK536-TB-E的规格信息
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标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:-

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):50V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 欧姆 @ 10mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):15pF @ 10V

功率 - 最大值:200mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SC-59

供应商2SK536-TB-E
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2SK536-TB-EON Semiconductor3000+:¥1.911+:¥4.17
10+:¥3.24
100+:¥2.09
1000+:¥1.94
3000+:¥1.78
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24000+:¥1.6899
48000+:¥1.66
99000+:¥1.641+:¥2.05
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2SK536-TB-EON SemiconductorMOSFET N-CH 50V 100MA SC59$0.61000
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3000+:¥1.78
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24000+:¥1.6899
48000+:¥1.66
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2SK536-TB-EON SemiconductorJFET MOSFET 0.1A 50V1:¥4.7686
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100:¥2.373
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50+:¥1.6
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300+:¥1.56
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