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2SK4212A-ZK /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 38.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道
2SK4212A-ZK的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）25.8A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻5mΩ @ 38.8A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）3.75W

类型N沟道

供应商2SK4212A-ZK
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Rochester Electronics		2SK4212A-ZK-E1-AYRenesas Electronics CorporationN/A500 : $0.33
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立创商城		2SK4212A-ZKVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25.8A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 38.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.75W 类型：N沟道1+:￥1.3976
10+:￥1.0327
30+:￥0.9657
100+:￥0.8987
500+:￥0.8689
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