FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）2.5V，4V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）3.5nC @ 4V

Vgs（最大值）±10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）98pF @ 10V

功率耗散（最大值）750mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）1.95 欧姆 @ 500mA，4V

工作温度150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-92

封装/外壳TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs