典型关断延迟时间108 ns

典型接通延迟时间25 ns

典型栅极电荷@Vgs38.8 nC V @ 10

典型输入电容值@Vds1000 pF V @ 30

安装类型通孔

宽度4.5mm

封装类型TO-220FI

尺寸10 x 4.5 x 8.8mm

引脚数目3

最大功率耗散2000 mW

最大栅源电压±30 V

最大漏源电压400 V

最大漏源电阻值0.34

最大连续漏极电流18 A

每片芯片元件数目1

类别功率 MOSFET

通道模式增强

通道类型N

配置单

长度10mm

高度8.8mm