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2SK4037(TE12L,Q) /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

晶体管极性:N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:3 A

Vds-漏源极击穿电压:12 V

增益:11.5 dB

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PW-X-4

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

工作频率:470 MHz

系列:2SK4037

类型:RF Power MOSFET

商标:Toshiba

Pd-功率耗散:20 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:3 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

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2SK4037(TE12L,Q)连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):12V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):20W 类型:N沟道TOSHIBA(东芝)TOSHIBA(东芝)的LOGO194.28 Kbytes共5页2SK4037(TE12L,Q)的PDF下载地址
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2SK4037(TE12L,Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.RF FET - 分立半导体产品1+:¥21.91
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250+:¥18.3
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