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2SK3845(Q) /MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:70 A

Rds On-漏源导通电阻:5.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:125 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

高度:20 mm

长度:15.5 mm

系列:2SK3845

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Toshiba

下降时间:130 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:130 ns

工厂包装数量:50

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:400 ns

典型接通延迟时间:45 ns

单位重量:7 g

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2SK3845(Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.半导体 MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥25.281+:¥19.79
10+:¥15.8999
100+:¥14.74
250+:¥14.74
500+:¥14.07
1000+:¥13.53991+:¥27.14
10+:¥24.03
25+:¥21.88011+:¥36.99
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100+:¥17.13
200+:¥16.9850+:¥47
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10+:¥24.03
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100+:¥17.13
200+:¥16.98
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2SK3845(Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.半导体 MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥25.281+:¥19.79
10+:¥15.8999
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500+:¥14.07
1000+:¥13.53991+:¥27.14
10+:¥24.03
25+:¥21.8801
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2SK3845(Q)Toshiba America Electronic Components, Inc.半导体 MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm FET - 单 - 分立半导体产品50+:¥25.281+:¥19.79
10+:¥15.8999
100+:¥14.74
250+:¥14.74
500+:¥14.07
1000+:¥13.53991+:¥27.14
10+:¥24.03
25+:¥21.88011+:¥36.99
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100+:¥17.13
200+:¥16.9850+:¥47
200+:¥43.63
500+:¥36.0901
1000+:¥33.78