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2SK1399 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道
2SK1399的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)250mA

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻3.3Ω @ 200mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)300mW

类型N沟道

供应商2SK1399
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SK1399-T1Bwww.nowchip.com0755-27381274
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2SK1399VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):250mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:3.3Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道10+:¥0.325451
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