包装：3TO-220AB

通道模式：Enhancement

最大漏源电压：900 V

最大连续漏极电流：2 A

RDS -于：7000@10V mOhm

最大门源电压：±30 V

典型导通延迟时间：10 ns

典型上升时间：35 ns

典型关闭延迟时间：60 ns

典型下降时间：50 ns

工作温度：-55 to 150 °C

安装：Through Hole

标准包装：Rail / Tube

删除：Compliant

连续漏极电流：2 A

栅源电压（最大值）：�30 V

功率耗散：50 W

工作温度范围：-55C to 150C

包装类型：TO-220AB

引脚数：3 +Tab

极性：N

类型：Power MOSFET

元件数：1

工作温度分类：Military

漏源导通电压：900 V

弧度硬化：No