数据列表：2SD19960 View all Specifications

标准包装：2,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带盒（TB）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：20V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 20mA，500mA

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：600mW

频率 - 跃迁：200MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：3-SIP

供应商器件封装：MT-1-A1

其它名称：2SD1996-R(TA)2SD19960RATB2SD1996RTA2SD1996RTB2SD1996RTB-ND