数据列表：2SD1979G View All Specifications
标准包装：3,000
类别：分立半导体产品
家庭：晶体管（BJT） - 单路
系列：-
包装：带卷（TR）
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：300mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：20V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：100mV @ 3mA，30mA
电流 - 集电极截止（最大值）：-
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：500 @ 4mA，2V
功率 - 最大值：150mW
频率 - 跃迁：80MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-85
供应商器件封装：S迷你型3-F2
其它名称：2SD1979GSLTR