数据列表：2SD11490 View all Specifications

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：100V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：200mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：400 @ 2mA，10V

功率 - 最大值：200mW

频率 - 跃迁：100MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：迷你型3-G1

其它名称：2SD1149-R(TX)2SD11490RLTR2SD1149RTR2SD1149RTR-ND2SD1149RTX