数据列表：2SD11190RL View all Specifications

标准包装：1,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：3A

电压 - 集射极击穿（最大值）：25V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1V @ 100mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）：-

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：340 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：1W

频率 - 跃迁：150MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商器件封装：迷你型P3-F1

其它名称：2SD11192SD1119-ND2SD11190RL-ND2SD11190RLTRQ1056553Q1110451