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2SC6076(TE16L1,NV) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SC6076(TE16L1,NV)的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

数据列表:2SC6076 -

标准包装:2,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,1A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:10W

频率 - 跃迁:150MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装:PW-MOLD

其它名称:2SC6076 (TE16L1,NV)2SC6076(TE16L1NV)2SC6076(TE16L1NV)-ND2SC6076(TE16L1NV)TR2SC6076TE16L1NV

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