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2SC6026CTGRTPL3 /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SC6026CTGRTPL3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:10,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V

功率 - 最大值:100mW

频率 - 跃迁:60MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SC-101,SOT-883

供应商器件封装:CST3

其它名称:2SC6026CT-GR(TPL3)2SC6026CTGRTPL3TR

供应商2SC6026CTGRTPL3
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