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2SC5088-O(TE85L,F) /Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SC5088-O(TE85L,F)的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

数据列表：2SC5088 -

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：7GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：1dB @ 500MHz

增益：18dB

功率 - 最大值：100mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 20mA，10V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：80mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-82A，SOT-343

供应商器件封装：USQ

其它名称：2SC5088-O(TE85LF)TR

供应商2SC5088-O(TE85L,F)
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