2SC5065-O(TE85L,F)
/Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
2SC5065-O(TE85L,F)的规格信息
标准包装:3,000
类别:分立半导体产品
家庭:RF 晶体管(BJT)
系列:-
包装:带卷(TR)
晶体管类型:NPN
电压 - 集射极击穿(最大值):12V
频率 - 跃迁:7GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1dB @ 500MHz
增益:-
功率 - 最大值:100mW
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):30mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:USM
其它名称:2SC5065-O(TE85LF)TR
2SC5065-O(TE85L,F)
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2SC5065-O(TE85L,F) | RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM | Toshiba Semiconductor and Storage |  | 496 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
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 Arrow(艾睿) | 2SC5065-O(TE85L,F) | Toshiba America Electronic Components, Inc. | RF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 | 1+:¥2.05 10+:¥1.81 25+:¥1.6 100+:¥1.44 250+:¥1.25 500+:¥1.12 1000+:¥ |
 Digi-Key 得捷电子 | 2SC5065-O(TE85L,F) | Toshiba America Electronic Components, Inc. | RF 晶体管 (BJT) - 分立半导体产品 | 1+:¥2.05 10+:¥1.81 25+:¥1.6 100+:¥1.44 250+:¥1.25 500+:¥1.12 1000+:¥0.88 |