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2SC3357-T1-A /
2SC3357-T1-A的规格信息
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晶体管类型NPN

电压 - 集射极击穿(最大值)12V

频率 - 跃迁6.5GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)1.8dB @ 1GHz

增益10dB

功率 - 最大值1.2W

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)50 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-243AA

供应商器件封装SOT-89

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商2SC3357-T1-A
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SC3357-T1-Awww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市芯幂科技有限公司2SC3357-T1-A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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深圳市成源运利电子科技有限公司2SC3357-T1-A深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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2SC3357-T1-ANPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION CEL[California Eastern Labs]CEL[California Eastern Labs]的LOGO216.06 Kbytes共6页2SC3357-T1-A的PDF下载地址
2SC3357-T1-A/J RE集电极电流Ic:100mA 额定功率:1.2W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:12VNEC(日电电子)NEC(日电电子)的LOGO79.56 Kbytes共8页2SC3357-T1-A/J RE的PDF下载地址
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2SC3357-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT - Tape and Reel1,000 : $0.5013
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2SC3357-T1-ACELRF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89Obsolete
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2SC3357-T1-ACalifornia Eastern Laboratories (CEL)RF TRANSISTOR NPN SOT-895,000 : $0.4921
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2SC3357-T1-ARenesas Electronics CorporationNPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR$0.3475