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2SC3356-T1B-A /
2SC3356-T1B-A的规格信息
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晶体管类型NPN

电压 - 集射极击穿(最大值)12V

频率 - 跃迁7GHz

噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)1.1dB @ 1GHz

增益13dB

功率 - 最大值200mW

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)50 @ 20mA,10V

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装SOT-23

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商2SC3356-T1B-A
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深圳亿恒升电子有限公司2SC3356-T1B-AT都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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苏先生,李小姐Email:1356901849@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司2SC3356-T1B-A深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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现代芯城(深圳)科技有限公司2SC3356-T1B-Awww.nowchip.com0755-27381274
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集好芯城2SC3356-T1B-A深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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深圳市宇浩扬科技有限公司2SC3356-T1B-A深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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2SC3356-T1B-A/AS集电极电流Ic:100mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:12VRENESAS(瑞萨)RENESAS(瑞萨)的LOGO182.66 Kbytes共9页2SC3356-T1B-A/AS的PDF下载地址
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