数据列表：2SB1030ARA View all Specifications

标准包装：5,000

类别：分立半导体产品

家庭：晶体管（BJT） - 单路

系列：-

包装：带盒（TB）

晶体管类型：PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：50V

不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：600mV @ 30mA，300mA

电流 - 集电极截止（最大值）：1µA

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：300mW

频率 - 跃迁：120MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：NS-B1

供应商器件封装：NS-B1

其它名称：2SB1030A-R(TA)2SB1030ARATB2SB1030ARTA2SB1030ARTB2SB1030ARTB-ND