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数据列表:2SB1030ARA View all Specifications
标准包装:5,000
类别:分立半导体产品
家庭:晶体管(BJT) - 单路
系列:-
包装:带盒(TB)
晶体管类型:PNP
电流 - 集电极(Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 30mA,300mA
电流 - 集电极截止(最大值):1µA
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):85 @ 150mA,10V
功率 - 最大值:300mW
频率 - 跃迁:120MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:NS-B1
供应商器件封装:NS-B1
其它名称:2SB1030A-(TA)2SB1030A0A2SB1030ATB