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2SA1815-4-TB-E /SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation/分立半导体产品

2SA1815-4-TB-E的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：RF 晶体管（BJT）

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：PNP

电压 - 集射极击穿（最大值）：12V

频率 - 跃迁：750MHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：-

增益：25dB

功率 - 最大值：250mW

不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：90 @ 5mA，10V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：50mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：3-CP

其它名称：869-1102-2

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深圳市安富世纪电子有限公司	2SA1815-4-TB-E	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
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