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2N929A /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vceo 30mA 500mW 1.8W
2N929A的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-18-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

增益带宽产品fT:45 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 175 C

系列:2N929A

直流电流增益 hFE 最大值:350 at 10 mA, 5 V

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:30 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:25 at 1 uA, 5 V

Pd-功率耗散:1.8 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:2N929A PBFREE

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2N929ACentral Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60Vcbo 60Vceo 30mA 500mW 1.8W2,000:¥7.4241
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