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2N6725 /达林顿晶体管 NPN Darlington
2N6725的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:达林顿晶体管

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:12 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

最大直流电集电极电流:2 A

最大集电极截止电流:0.1 uA

功率耗散:2 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-237

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

直流集电极/Base Gain hfe Min:25000

最小工作温度:- 65 C

系列:2N6725

工厂包装数量:2000

ROHS: 无铅

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2N6725Central Semiconductor Corp2N Series 50 V 2 A NPN Through Hole Silicon Darlington Power Transistor - TO-237
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