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2N6123 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Med Pwr
2N6123的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:1.4 V

最大直流电集电极电流:4 A

增益带宽产品fT:2.5 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:2N6123

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:0.45 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:7 at 4 A, 2 V

Pd-功率耗散:40 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:400

子类别:Transistors

零件号别名:2N6123 PBFREE

单位重量:2.300 g

供应商2N6123
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2N6123SPC MulticompTRANSISTORNPN4A80VTO220
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