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2N60L-TA3-T /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):54W(Tc) 类型:N沟道
2N60L-TA3-T的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)600V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻5Ω @ 2A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)54W(Tc)

类型N沟道

供应商2N60L-TA3-T
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