2N6056的供应商，2N6056规格参数，2N6056的PDF资料

2N6056 /达林顿晶体管 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W

2N6056的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:80 V

最大直流电集电极电流:8 A

最大集电极截止电流:500 uA

Pd-功率耗散:100 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

系列:2N6056

封装:Tube

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:8 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:750

增益带宽产品fT:4 MHz

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:160

子类别:Transistors

零件号别名:2N6056 PBFREE

单位重量:11.700 g

2N6056

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2N6056及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	PDF大小	PDF页数	相关型号
2N6056	Silicon NPN Power Transistors	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	132.6 Kbytes	共3页	2N6059_03,RJK6014DPP,BSP41,BU508DW
2N6056	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC[Savantic, Inc.]	113.56 Kbytes	共3页	2N6059_03,RJK6014DPP,BDT31F,BUS22B
2N6056	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3	SEME-LAB[Seme LAB]	15.51 Kbytes	共1页	无
2N6056	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS	NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]	245.45 Kbytes	共2页	无
2N6056	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC[Savantic, Inc.]	115.15 Kbytes	共3页	无
2N6056	POWER TRANSISTORS(8A,100W)	MOSPEC[Mospec Semiconductor]	172.45 Kbytes	共4页	MJE13008,2N6036,BD439,STK0100II,TIP663,LET9085,PD57006,SD2921,SD57120,MJ2955
2N6056	NPN Darlington Silicon Power Transistor	ONSEMI[ON Semiconductor]	102.05 Kbytes	共8页	BSP52T1,NTE267,BSP52T1,MJ10006,2N6383,FXT605,2N7370,2SD2165,CSD1638,UPA1428A
2N6056	Power Transistors	ETC[List of Unclassifed Manufacturers]	347.98 Kbytes	共8页	BD533,BUV46,D44H8,LET9130,MTM45N05E,MJE172,PD57018,SD2922,C44H,CFC3944
2N6056 PBFREE	达林顿晶体管 680Vcbo 80Vceo 5.0V 8.0A Ic 16A Icm 100W	Central Semiconductor	216.54 Kbytes	共17页	无

2N6056的全球分销商及价格

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