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2N6050 /达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
2N6050的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

最大直流电集电极电流:12 A

Pd-功率耗散:150 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

系列:2N6050

封装:Tube

高度:11.43 mm

长度:39.36 mm

工作温度范围:- 65 C to + 200 C

宽度:26.67 mm

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:12 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:750

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:20

子类别:Transistors

零件号别名:2N6050 PBFREE

单位重量:6.401 g

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