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制造商:Central Semiconductor
产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS:否
晶体管类型:JFET
技术:Si
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:15 V
Vgs-栅源极击穿电压 :30 V
Id-连续漏极电流:5 mA
最大漏极/栅极电压:30 V
最小工作温度:- 65 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:360 mW
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92-3
封装:Bulk
配置:Single
系列:2N5952
商标:Central Semiconductor
NF—噪声系数:5 dB
产品类型:RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻:375 Ohms
工厂包装数量:2000
子类别:Transistors