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2N5912 /JFET Dual JFET N-Ch -25V 50mA 500mW 4mW
2N5912的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:InterFET

产品种类:JFET

RoHS:

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:SOIC-8

晶体管极性:N-Channel

配置:Single

Vds-漏源极击穿电压:10 V

Vgs-栅源极击穿电压 :25 V

Vgs=0时的漏-源电流:40 mA

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

封装:Bulk

类型:JFET

商标:InterFET

正向跨导 - 最小值:5000 uS

闸/源截止电压:5 V

工厂包装数量:1

零件号别名:IFN5912

供应商2N5912
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2N5912InterFETJFET Dual JFET N-Ch -25V 50mA 500mW 4mW1:¥123.7915
10:¥104.0391
100:¥95.7449
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