标准包装：200

类别：分立半导体产品

家庭：JFET（结点场效应

系列：-

包装：管件

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：25V

漏源极电压（Vdss）：-

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：100mA @ 15V

漏极电流（Id） - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：3V @ 3nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：30pF @ 0V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-206AC，TO-52-3，金属罐

供应商器件封装：TO-206AC（TO-52）

功率 - 最大值：300mW