制造商:Microchip

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:否

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-39-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:200 V

集电极—基极电压 VCBO:200 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极—射极饱和电压:2 V

最大直流电集电极电流:1 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值:120 at 50 mA, 10 V

封装:Bulk

商标:Microchip / Microsemi

直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 50 mA, 10 V

Pd-功率耗散:750 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1

子类别:Transistors