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2N5375 /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 360mW
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:300 mV

增益带宽产品fT:150 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:500 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:20 at 1 mA, 10 V

Pd-功率耗散:360 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2000

子类别:Transistors

零件号别名:2N5375 PBFREE

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2N5375Central Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Vcbo 40Vcbo 30Vceo 5.0Vebo 360mW4,000:¥1.5368
10,000:¥1.4238
24,000:¥1.356
50,000:¥1.3221